Зауважимо, що константа нестійкості для комплексного іону [HgCl4]2- (K1) є оберненою константою стійкості для цього комплексного іону. Тобто, чим менше значення K1, тим більша стійкість комплексного іону [HgCl4]2-. Аналогічно, константа нестійкості для комплексного іону H2[HgCl4] (K2) є оберненою константою стійкості для цього комплексного іону.
Answers & Comments
Ответ:
Рівняння електролітичної дисоціації H2[HgCl4]:
H2[HgCl4] ⇌ 2H+ + [HgCl4]2-
Константа нестійкості для комплексного іону [HgCl4]2- може бути записана як:
K1 = [Hg2+] [Cl-]^4 / [HgCl4]2-
Константа нестійкості для комплексного іону H2[HgCl4] може бути записана як:
K2 = [Hg2+] [HgCl4]2- / [H2[HgCl4]]
де [Hg2+] - концентрація іону ртуті (II), [Cl-] - концентрація іону хлориду, [HgCl4]2- - концентрація комплексного іону [HgCl4]2-, [H2[HgCl4]] - концентрація комплексного іону H2[HgCl4].
Зауважимо, що константа нестійкості для комплексного іону [HgCl4]2- (K1) є оберненою константою стійкості для цього комплексного іону. Тобто, чим менше значення K1, тим більша стійкість комплексного іону [HgCl4]2-. Аналогічно, константа нестійкості для комплексного іону H2[HgCl4] (K2) є оберненою константою стійкості для цього комплексного іону.