Дано:

Полупроводник №1 (Ge) собственный:

Запрещенная зона – Wg =0,785эВ;

Подвижности μе(Ge) = 3900 см2·В-1·с-1;

μh(Ge) = 1900 см2·В-1·с-1;

Температура T = 300 K;

Полупроводник №2 (Si) примесный (n-типа):

Запрещенная зона – Wg =1,21эВ;

Подвижности μе(Ge) = 1200 см2·В-1·с-1;

μh(Ge) = 500 см2·В-1·с-1;

Температура T = 300 K;

σ(Ge) = σ(n-Si).