Биполярные транзисторы Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Биполярным транзистором называют полу проводниковый прибор имеющий два взаимодействующих между собой p-n перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной – сплавление, диффузия и т.д. это в значительной мере определяет характеристики прибора. В зависимости от последовательности чередования областей с различным типом проводимости различают n-
p-n транзисторы и p-n-p транзисторы. Средняя часть рассматриваемых структур рассматриваемых структур называется базой, одна крайняя область называется коллектором другая эмиттером в несимметричных структурах. Электрод базы располагается ближе к эмиттеру, а ширина базы зависит от частот¬ного диапазона транзистора и с повышением частоты уменьшается. В зависимос¬ти от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, различа¬ют следущие режимы его работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.
В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен в пря¬мом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме насыщения оба пере¬хода смещены в прямом направлении, а в режиме отсечки — в обратном. И, наконец, в инверсном режиме коллекторный переход смещен в прямом направле¬нии, а эмиттерный — в обратном. Кроме рассмотренных режимов возможен еще один режим, который является не рабочим, а аварийным — это режим пробоя. Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимо¬сти от приложенных
к его переходам напряжений. В линейном режиме, когда переход база-эмиттер открыт благодаря приложенному к нему напряжению Е,= t/бэ, через него протекает ток базы 1ц. Протекание тока базы приводит к ин-жекции зарядов из области коллектора в область базы, причем ток коллектора определяется как i^=Bi„ где В — коэффициент передачи тока базы. Прямое на¬пряжение С/бэ на эмиттерном переходе связано с током коллектора уравнением
Answers & Comments
Биполярные транзисторы Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Биполярным транзистором называют полу проводниковый прибор имеющий два взаимодействующих между собой p-n перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной – сплавление, диффузия и т.д. это в значительной мере определяет характеристики прибора. В зависимости от последовательности чередования областей с различным типом проводимости различают n-
p-n транзисторы и p-n-p транзисторы. Средняя часть рассматриваемых структур рассматриваемых структур называется базой, одна крайняя область называется коллектором другая эмиттером в несимметричных структурах. Электрод базы располагается ближе к эмиттеру, а ширина базы зависит от частот¬ного диапазона транзистора и с повышением частоты уменьшается. В зависимос¬ти от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, различа¬ют следущие режимы его работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и инверсный.
В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен в пря¬мом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме насыщения оба пере¬хода смещены в прямом направлении, а в режиме отсечки — в обратном. И, наконец, в инверсном режиме коллекторный переход смещен в прямом направле¬нии, а эмиттерный — в обратном. Кроме рассмотренных режимов возможен еще один режим, который является не рабочим, а аварийным — это режим пробоя. Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимо¬сти от приложенных
к его переходам напряжений. В линейном режиме, когда переход база-эмиттер открыт благодаря приложенному к нему напряжению Е,= t/бэ, через него протекает ток базы 1ц. Протекание тока базы приводит к ин-жекции зарядов из области коллектора в область базы, причем ток коллектора определяется как i^=Bi„ где В — коэффициент передачи тока базы. Прямое на¬пряжение С/бэ на эмиттерном переходе связано с током коллектора уравнением